半导体行业案例：与国内一线硅片制造企业合作案例

国内某一线硅片制造企业-PECVD 案例解析

一、项目背景

PECVD多批次产品发生膜厚异常，导致产品直接报废，造成产品不良损失。

影响：

① RF Strap老化导致HF放电异常；

② 腔体内存在金属毛刺凸起，工艺过程中存在尖端放电影响实际RF放电，影响实际RF输出功率， 影响产品膜厚稳定性。

二、解决方案：智现未来 FDC 设备异常监控系统

FDC 管控&异常处理流程：

• 腔体底部和腔壁接触的边缘位置有金属凸起（现象）；

• 腔体内存在金属毛刺凸起，工艺过程中存在尖端放电进而影响RF放电（根本原因），导致RF输出功率，影响产品膜层质量；

• FDC系统上对RF相关参数进行分析：发现此期间DCVD_LF_RF_Generator_Forward数据存在异常波动，且波动发生在Step 7，数值整体偏高；

• FDC 实时监控RF相关参数，异常发生后，通知EE/PE，同时Hold产品，再次确认产品质量，同时对设备进行PM等维护。

  

三、管控收益

• 提高异常处理效率：实时、快速进行异常反馈，提升异常响应速率（无需等到量测站点反馈或机台报警宕机时才事后追踪）；

• 降低产品损失：直接对异常机台进行Hold操作，防止异常扩大、异常Wafer流入后端工艺，降低产品损失等；

• 提高设备稳定性: FDC管控更加严格，提前告知工程师设备发生异常的可能性，预防设备异常、宕机。